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長江存儲(chǔ)加速產(chǎn)能擴(kuò)張：新公司注冊(cè)資本達(dá)207億，其認(rèn)繳出資104億元

現(xiàn)在，國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片龍頭長江存儲(chǔ)（YMTC）迎來了一個(gè)重磅消息。9月5日，長存三期（武漢）集成電路有限責(zé)任公司正式注冊(cè)成立，注冊(cè)資本高達(dá)207.2億元人民幣，法定代表人為長江存儲(chǔ)董事長陳南翔。新公司涵蓋集成電路制造、設(shè)計(jì)、銷售及芯片產(chǎn)品進(jìn)出口，并涉及技術(shù)服務(wù)、貨物進(jìn)出口、技術(shù)進(jìn)出口等全鏈條業(yè)務(wù)，引起了業(yè)內(nèi)廣泛關(guān)注。股權(quán)結(jié)構(gòu)方面，長存三期（武漢）集成電路有限責(zé)任公司由長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司與湖北長晟三期投資發(fā)展有限責(zé)任公司共同持股 —— 長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司持股比例為50.19%、認(rèn)繳104億元；湖北長
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內(nèi)存巨頭，脆弱的鏈接：韓國對(duì)日本 HBM 供應(yīng)鏈的依賴

根據(jù) ZDNet 的報(bào)道，韓國可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產(chǎn)品領(lǐng)域領(lǐng)先，但它仍然嚴(yán)重依賴日本的關(guān)鍵材料。該報(bào)告援引消息人士的話警告說，除非本地化進(jìn)程更快地推進(jìn)，否則這種依賴可能會(huì)成為韓國在人工智能和 HBM 競賽中的結(jié)構(gòu)性風(fēng)險(xiǎn)。報(bào)告指出，在 SK 海力士的 HBM 價(jià)值鏈中，超細(xì) TSV（硅通孔）堆疊結(jié)構(gòu)依賴于由日本公司主要壟斷的關(guān)鍵材料和設(shè)備。報(bào)告強(qiáng)調(diào)，用于 HBM 堆疊的底部填充劑——幾乎完全由日本的 NAMICS 提供。由于替代方案有限，本地化進(jìn)展緩慢。此外，SK
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第二季度NAND收入環(huán)比增長22%

TrendForce集邦咨詢表示，第二季度NAND收入前五大供應(yīng)商的總收入環(huán)比增長22%，達(dá)到146.7億美元。三星第二季度收入環(huán)比增長 23.8% 至 52 億美元，將三星的市場(chǎng)份額小幅提升至 32.9%。海力士第二季度收入環(huán)比增長 52.5%，達(dá)到 33.4 億美元，市場(chǎng)份額為 21.1%。鎧俠第二季度營收環(huán)比增長11.4%至21.4億美元，環(huán)比增長11.4%，排名第三。美光收入環(huán)比增長 3.7%，達(dá)到 21 億美元，市場(chǎng)份額為 13.3%。SanDisk 的收入環(huán)比增長 12.2% 至 19 億美元
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美國撤銷對(duì)三星、SK 海力士的中國芯片制造工具許可證：解碼市場(chǎng)影響

三星和 SK 海力士雖然暫時(shí)免于美國政府入股的風(fēng)險(xiǎn)，但隨著華盛頓撤銷豁免——在 2022 年出口限制后授予——此前允許他們自由進(jìn)口美國芯片制造設(shè)備——根據(jù) 路透社和彭博社的數(shù)據(jù)，三星和 SK 海力士在中國遇到了新的障礙。正如聯(lián)邦文件所示，報(bào)告表明撤銷將在 120 天后開始。報(bào)道補(bǔ)充說，值得注意的是，美國政府表示將批準(zhǔn)三星和 SK 海力士的許可，以維持其在中國現(xiàn)有晶圓廠的運(yùn)營，但不會(huì)批準(zhǔn)產(chǎn)能擴(kuò)張或技術(shù)升級(jí)。路透社指出，英特爾也上市，盡管它已經(jīng)在今年早些時(shí)候通過出售其大連工廠
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三星與SK海力士擬放緩2025年NAND投資計(jì)劃

據(jù)韓媒ZDNet Korea援引業(yè)界消息，三星電子與SK海力士計(jì)劃在2025年下半年放緩對(duì)先進(jìn)NAND Flash的投資步伐。這一決策主要是由于市場(chǎng)需求不確定性較高，且企業(yè)資金更多集中于DRAM和封裝領(lǐng)域，導(dǎo)致對(duì)NAND的投資負(fù)擔(dān)加重。三星自2025年初開始，在韓國平澤的P1廠和西安NAND廠推進(jìn)轉(zhuǎn)換投資，主要將第6、7代NAND升級(jí)至第8、9代。這種轉(zhuǎn)換投資相較于新建投資成本更低，且能部分利用現(xiàn)有設(shè)備，效率較高。然而，近期三星針對(duì)最先進(jìn)NAND的轉(zhuǎn)換投資速度有所放緩。例如，P1廠的第9代NAND轉(zhuǎn)換投資
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美光推出首款 256Gb 抗輻射閃存獲全空間認(rèn)證

美光??宣布推出業(yè)內(nèi)最高密度的抗輻射 SLC NAND 閃存。新發(fā)布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天級(jí) NAND、NOR 和 DRAM 內(nèi)存解決方案組合中的首款產(chǎn)品，現(xiàn)已實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。該產(chǎn)品專為航空航天及其他極端嚴(yán)苛環(huán)境使用而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品已根據(jù) NASA 的 PEM-INST-001 標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了嚴(yán)格的測(cè)試，包括極端溫度循環(huán)、缺陷篩選和動(dòng)態(tài)老化。它還基于美國軍用標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-883 和 JEDEC JESD57 通過了輻射耐受性驗(yàn)證，確保其在高輻射環(huán)境中的可靠性。這
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中國長江存儲(chǔ)計(jì)劃通過使用國產(chǎn)工具建立生產(chǎn)線來擺脫美國制裁

(圖片來源：YMTC)長江存儲(chǔ)技術(shù)有限公司（YMTC），中國領(lǐng)先的 NAND 存儲(chǔ)器生產(chǎn)商，自 2022 年底以來一直被美國商務(wù)部列入實(shí)體清單，這基本上禁止了其獲取先進(jìn)制造設(shè)備。盡管面臨制裁和限制，YMTC 計(jì)劃今年擴(kuò)大其生產(chǎn)能力，目標(biāo)是在 2026 年底前占據(jù) NAND 存儲(chǔ)器生產(chǎn)市場(chǎng)的 15%，據(jù)《Digitimes》報(bào)道。該公司還計(jì)劃建設(shè)一條僅使用中國制造設(shè)備的試驗(yàn)生產(chǎn)線。YMTC 將擴(kuò)大產(chǎn)能至每月 15 萬片晶圓啟動(dòng)據(jù) DigiTimes 報(bào)道，預(yù)計(jì)到 2024 年底，YMTC 的月產(chǎn)能將達(dá)到每月
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中國CXMT和YMTC推動(dòng)DRAM和NAND生產(chǎn)

中國存儲(chǔ)半導(dǎo)體公司長鑫存儲(chǔ)科技（CXMT）和長江存儲(chǔ)科技（YMTC）正在加強(qiáng)其在全球存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的影響力，在大約一年后將其產(chǎn)能幾乎翻了一番。自去年以來，中國內(nèi)存開始在三星電子和 SK 海力士主導(dǎo)的通用 DRAM 市場(chǎng)中嶄露頭角，從傳統(tǒng) DRAM 開始，在國內(nèi)市場(chǎng)需求和政府補(bǔ)貼的推動(dòng)下，中國內(nèi)存正在提高其競爭力。此外，它還對(duì)高帶寬內(nèi)存（HBM）和 300 層 3D NAND 閃存等先進(jìn)產(chǎn)品線提出了挑戰(zhàn)，縮小了與三星電子和 SK 海力士的差距。根據(jù) ChosunBiz 21 日獲得的 Omdia
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NAND Flash合約價(jià) Q3看漲10%

根據(jù)TrendForce預(yù)估，第三季NAND Flash價(jià)格走勢(shì)，預(yù)估平均合約價(jià)將季增5%至10%，但eMMC、UFS產(chǎn)品，因智慧手機(jī)下半年展望不明，漲幅較低。client SSD市場(chǎng)因OEM/ODM上半年去化庫存情況優(yōu)于預(yù)期，增強(qiáng)第三季回補(bǔ)動(dòng)能。而Windows 10停止支持、新一代CPU推出引發(fā)換機(jī)潮，以及DeepSeek一體機(jī)熱潮，皆帶動(dòng)client SSD需求。此外，部分原廠積極推動(dòng)大容量QLC產(chǎn)品，帶動(dòng)出貨規(guī)模。綜合以上因素，預(yù)估第三季client SSD將季增3%至8%。隨NVIDIA B
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美光突破PC性能邊界，推出自適應(yīng)寫入技術(shù)與G9 QLC NAND

SSD?對(duì)于提升?PC?及客戶端設(shè)備的用戶體驗(yàn)和系統(tǒng)性能至關(guān)重要。Micron Technology Inc.近日宣布，推出美光?2600 NVMe? SSD，專為原始設(shè)備制造商（OEM）設(shè)計(jì)的高性價(jià)比客戶端存儲(chǔ)解決方案。2600 SSD?搭載業(yè)界首款應(yīng)用于SSD的第九代?QLC NAND（G9 QLC NAND），并采用美光創(chuàng)新的自適應(yīng)寫入技術(shù)（Adaptive Write Technology?，AWT），在兼顧?QLC?
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DDR4漲勢(shì)Q4觸頂、NAND持平

TrendForce最新釋出的存儲(chǔ)器市場(chǎng)觀察指出，2025年第二季以來快速上漲的DDR4價(jià)格漲勢(shì)，恐將在第四季觸頂回落; 而NAND市場(chǎng)雖受惠AI需求帶動(dòng)，但因供需未形成緊張態(tài)勢(shì)，價(jià)格預(yù)期多呈持平。TrendForce表示，DDR4近期的強(qiáng)勁漲勢(shì)，主要來自供應(yīng)商削減產(chǎn)出與市場(chǎng)搶貨潮，但這波動(dòng)能可能難以延續(xù)至年底。根據(jù)通路查核，隨著價(jià)格進(jìn)入高檔區(qū)間，供應(yīng)商正逐步釋出庫存，預(yù)期第四季整體供應(yīng)將逐步改善。DDR5方面，目前價(jià)格趨勢(shì)穩(wěn)定，2025年第二、三季價(jià)格季增幅度預(yù)估介于3%至8%之間。不過，部分二線OE
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如何讓QLC技術(shù)成為主流？

縱觀整個(gè)電子行業(yè)，往更高密度的集成電路發(fā)展無疑是主流趨勢(shì)。相對(duì)于邏輯電路追求晶體管密度提升，類似于FLASH NAND這樣的非易失性存儲(chǔ)還需要考慮到電子的穩(wěn)定保存，單純的提升制造工藝并不能很好的解決所有存儲(chǔ)問題，在穩(wěn)定保存的前提下追求更高的存儲(chǔ)密度才能確保新技術(shù)、新產(chǎn)品可持續(xù)發(fā)展，存儲(chǔ)單元向上要空間成為順理成章的事情，因此在SLC（Single-Level Cell）之后才有MLC（Multi-Level Cell），TLC（Triple-Level Cell），以及日漸成為主流的QLC（Quad-Lev
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HBM 開發(fā)路線圖揭曉：2038 年將推出 HBM8，具有 16,384 位接口和嵌入式 NAND

韓國頂尖國家級(jí)研究機(jī)構(gòu) KAIST 發(fā)布了一份 371 頁的論文，詳細(xì)介紹了到 2038 年高帶寬內(nèi)存（HBM）技術(shù)的演進(jìn)，展示了帶寬、容量、I/O 寬度以及熱量的增加。該路線圖涵蓋了從 HBM4 到 HBM8 的發(fā)展，包括封裝、3D 堆疊、以內(nèi)存為中心的架構(gòu)以及嵌入 NAND 存儲(chǔ)，甚至基于機(jī)器學(xué)習(xí)的方法來控制功耗。請(qǐng)記住，該文件是關(guān)于 HBM 技術(shù)假設(shè)演進(jìn)的，基于當(dāng)前行業(yè)和研究方向，而不是任何商業(yè)公司的實(shí)際路線圖。（圖片來源：KAIST）每堆疊的 HBM 容量將從 288GB 增加到 34
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芯片巨頭，「扔掉」這些業(yè)務(wù)

上半年，時(shí)至過半。回顧這半年的半導(dǎo)體市場(chǎng)，似是相對(duì)平靜，但是仔細(xì)回想也有不少芯片巨頭在該背景下做了諸多調(diào)整。它們接連「動(dòng)刀」，果斷退出部分產(chǎn)品領(lǐng)域。在這個(gè)過程中會(huì)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)造成哪些影響？又有哪些公司同步受益？芯片巨頭，放棄這些芯片存儲(chǔ)三巨頭，計(jì)劃停產(chǎn)?DDR3?和DDR4關(guān)于三星、SK 海力士、美光等主要 DRAM 制造商計(jì)劃停產(chǎn) DDR3 和 DDR4 內(nèi)存的消息，想必業(yè)內(nèi)人士早有耳聞。今年 2 月，這則消息正式傳來，這一決策是由于對(duì)?HBM（高帶寬內(nèi)存）和 DDR5 等
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三星將停產(chǎn)MLC NAND，未來聚焦TLC和QLC技術(shù)

據(jù)消息人士透露，三星計(jì)劃在下個(gè)月停止接收MLC NAND芯片的訂單，標(biāo)志著其將逐步退出MLC NAND（多層單元NAND）業(yè)務(wù)。同時(shí)，三星還提高了MLC NAND的價(jià)格，促使部分客戶開始尋找替代供應(yīng)商。LG顯示（LG Display）正是受影響的客戶之一。該公司此前在其用于大型OLED面板的4GB eMMC（嵌入式多媒體卡）中使用三星的MLC NAND。目前，LG顯示正在尋求其他供應(yīng)商，以填補(bǔ)這一空缺。據(jù)悉，LG顯示此前的eMMC產(chǎn)品還使用了ESMT和鎧俠的產(chǎn)品。其中，ESMT的eMMC采用了三星的MLC
關(guān)鍵字：三星 MLC NAND TLC QLC

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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲(chǔ)存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]